5M570ZT100I5N 是一款由 VISHAY 公司生產的功� MOSFET 芯片,屬� SiC(碳化硅)材料系列。該器件采用了先進的碳化硅技�,具有高效率、高頻開關能力以及出色的耐高溫性能。它專為工業(yè)應用和汽車級應用設計,能夠滿足嚴苛環(huán)境下的電力電子需求�
這款功率 MOSFET 在電動汽�、充電樁、太陽能逆變器以及高� DC-DC 轉換器等領域中表現出�,適合需要高功率密度和低損耗的應用場景�
類型:SiC MOSFET
封裝:TO-247-4
額定電壓�650V
額定電流�80A
Rds(on)�9mΩ
柵極電荷�120nC
最大功耗:350W
工作溫度范圍�-55� to +175�
漏源極電壓:650V
連續(xù)漏極電流�80A
導通電阻:9mΩ
5M570ZT100I5N 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低傳導損�,提高系統效率�
2. 高開關頻率支�,適用于高頻應用場合,減少磁性元件體積,提升功率密度�
3. 采用碳化硅材料制�,具備優(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在高達 175°C 的結溫下工作�
4. 符合 AEC-Q101 標準,確保其在汽車應用中的耐用性和一致��
5. 內置反向恢復二極管功能,有助于降低開關損耗并簡化電路設計�
6. �(yōu)化了柵極驅動要求,使得驅動設計更加簡��
5M570ZT100I5N 廣泛應用于以下領域:
1. 電動汽車牽引逆變��
2. 快速充電站及車載充電器�
3. 太陽能光伏逆變器與儲能系統�
4. 工業(yè)電機驅動和變頻器�
5. 高效 DC-DC 轉換器和 PFC(功率因數校正)電路�
6. 不間斷電源(UPS)和電信電源設備�
由于其出色的性能,該芯片非常適合需要高效率和高可靠性的功率轉換應用�
5M570ZT075I5N
5M570ZT150I5N