FN18X222K160PSG 是一款高性能� N 溝道 MOSFET 功率晶體管,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻工作條件下保持高效能和穩(wěn)定性�
該型�(hào)的功� MOSFET 以增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管為基礎(chǔ),通過柵極電壓控制漏極與源極之間的�(dǎo)通狀�(tài),適合需要快速響�(yīng)和低功耗的�(yīng)用環(huán)��
類型:N溝道MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
連續(xù)漏極電流(ID)�30A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�4.5mΩ(在VGS=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�75W
工作溫度范圍(TA)�-55℃至+175�
柵極電荷(Qg)�39nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�85ns
FN18X222K160PSG 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻(RDS(on)),僅為 4.5mΩ(在 VGS=10V �(shí)�。這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,并提升整體效率�
其次,該器件具有非常小的柵極電荷(Qg=39nC�,這意味著其開�(guān)速度快且�(dòng)�(tài)損耗較�,非常適合高頻開�(guān)電路�
此外,其反向恢復(fù)�(shí)間(trr=85ns)較�,有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。再加上較高的工作溫度范圍(-55� � +175℃),該器件可以適應(yīng)各種惡劣的工作環(huán)��
最�,F(xiàn)N18X222K160PSG 使用 TO-252 (DPAK) 封裝,便于表面貼裝和散熱管理,同�(shí)支持自動(dòng)化生�(chǎn)流程�
FN18X222K160PSG 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�,如無刷直流電機(jī) (BLDC) �(qū)�(dòng)��
3. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率級(jí)�(zhuǎn)��
5. 各種高頻開關(guān)電路及負(fù)載切換應(yīng)用�
6. 充電器和適配器設(shè)�(jì)中的同步整流�
由于其出色的電氣特性和可靠性,這款功率 MOSFET 是許多功率電子系�(tǒng)的核心組��
IRFZ44N, FDP16N60C, STP30NF60