FN03N5R6D500PLG是一款高性能的N溝道MOSFET功率晶體管,適用于各種開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,在低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能方面表現(xiàn)出色適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效節(jié)省PCB空間并提升系統(tǒng)可靠性。
FN03N5R6D500PLG主要設(shè)計(jì)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電源管理和保護(hù)電路等應(yīng)用領(lǐng)域。通過(guò)優(yōu)化的柵極電荷和閾值電壓特性,這款MOSFET在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出優(yōu)異的效率。
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流:3A
導(dǎo)通電阻:6mΩ
柵極電荷:15nC
工作溫度范圍:-55℃至175℃
封裝類型:PLG
FN03N5R6D500PLG具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功率損耗,提高整體效率。
2. 高開(kāi)關(guān)速度,得益于優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),適合高頻應(yīng)用。
3. 強(qiáng)大的熱性能,確保在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 良好的靜電放電(ESD)保護(hù)能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
6. 小型化封裝,便于實(shí)現(xiàn)緊湊型設(shè)計(jì)。
FN03N5R6D500PLG廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和初級(jí)開(kāi)關(guān)。
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)控制器。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元(PMU)。
6. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換和功率分配電路。
IRF540N
FDP5800
STP30NF06L