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GA1210A151FBLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 17:42:07 查看 閱讀�20

GA1210A151FBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)技�(shù)系列。該器件采用了先�(jìn)的氮化鎵材料�(shè)�(jì),具有高效率、高開關(guān)頻率和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
  這款芯片通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)特�,能夠在高頻工作條件下保持較低的開關(guān)損�,同�(shí)提供出色的熱性能表現(xiàn),使其成為現(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):GA1210A151FBLAT31G
  類型:GaN 功率 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):650 V
  最大柵源電壓(Vgs):+6 V / -6 V
  連續(xù)漏極電流(Ids):12 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):150 mΩ
  功耗:3.6 W
  封裝形式:TOLL(TO-247-3L�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

GA1210A151FBLAT31G 的主要特性包括:
  1. 高效能量�(zhuǎn)換能�,得益于低導(dǎo)通電阻的�(shè)�(jì),減少了傳導(dǎo)損��
  2. 支持高達(dá) 2 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫�(guān)斷和過流限制,提高了系統(tǒng)可靠��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于減少整體電路板空間占��
  5. 出色的熱管理能力,確保在高功率密度下�(wěn)定運(yùn)行�
  6. 兼容傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的驅(qū)�(dòng)條件,便于直接替換使��

�(yīng)�

GA1210A151FBLAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
  3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�
  4. 太陽能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)
  5. 電動(dòng)車充電設(shè)備(EVSE�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的電源管理部�

替代型號(hào)

GAN063-650WSA
  TXGB12P65W1
  GXT65R190AE
  IPD65R150E

ga1210a151fblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-