GA1210A151FBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)技�(shù)系列。該器件采用了先�(jìn)的氮化鎵材料�(shè)�(jì),具有高效率、高開關(guān)頻率和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片通過�(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)特�,能夠在高頻工作條件下保持較低的開關(guān)損�,同�(shí)提供出色的熱性能表現(xiàn),使其成為現(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中的理想選擇�
型號(hào):GA1210A151FBLAT31G
類型:GaN 功率 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):650 V
最大柵源電壓(Vgs):+6 V / -6 V
連續(xù)漏極電流(Ids):12 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):150 mΩ
功耗:3.6 W
封裝形式:TOLL(TO-247-3L�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210A151FBLAT31G 的主要特性包括:
1. 高效能量�(zhuǎn)換能�,得益于低導(dǎo)通電阻的�(shè)�(jì),減少了傳導(dǎo)損��
2. 支持高達(dá) 2 MHz 的開�(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(nèi)置保�(hù)功能,如過溫�(guān)斷和過流限制,提高了系統(tǒng)可靠��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于減少整體電路板空間占��
5. 出色的熱管理能力,確保在高功率密度下�(wěn)定運(yùn)行�
6. 兼容傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的驅(qū)�(dòng)條件,便于直接替換使��
GA1210A151FBLAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�
4. 太陽能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)
5. 電動(dòng)車充電設(shè)備(EVSE�
6. 工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)的電源管理部�
GAN063-650WSA
TXGB12P65W1
GXT65R190AE
IPD65R150E