FM31X474K101EEG是一款由Ramtron(現(xiàn)已被Cypress收購(gòu))生�(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。該器件將標(biāo)�(zhǔn)高速靜�(tài)RAM與集成的非易失性功能相�(jié)�,確保在電源中斷�(shí)�(shù)�(jù)能夠被安全保�。它采用微功耗電池�(jìn)行備份,在正常工作模式下�(wú)需外部電池支持即可�(yùn)��
該系列芯片具有高可靠性和快速訪�(wèn)�(shí)�,適合需要頻繁讀�(xiě)且要求數(shù)�(jù)持久性的�(yīng)用環(huán)�。其�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu)使得nvSRAM在性能上接近傳�(tǒng)SRAM,同�(shí)具備閃存或EEPROM的數(shù)�(jù)保留能力�
容量�512K x 8位(4Mbit�
接口�(lèi)型:并行
工作電壓范圍�4.5V�5.5V
待機(jī)電流:最�2μA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式�48引腳TSOP-II
FM31X474K101EEG的核心特性包括:
1. 非易失性:通過(guò)集成的電池備份技�(shù),在斷電情況下可保持?jǐn)?shù)�(jù)完整�
2. 快速訪�(wèn)�(shí)間:典型值為55ns,滿足高性能系統(tǒng)的需��
3. �(shù)�(jù)保留壽命:在適當(dāng)?shù)碾姵刂С窒?�?shù)�(jù)可以保存超過(guò)十年�
4. 自動(dòng)保存/恢復(fù):無(wú)需額外控制電路即可�(shí)�(xiàn)從SRAM到非易失性存�(chǔ)的無(wú)縫轉(zhuǎn)��
5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試以確保在各種工�(yè)和商�(yè)�(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
6. 容量大:提供高達(dá)4Mbit的存�(chǔ)空間,適用于�(fù)雜的�(yīng)用場(chǎng)��
這款芯片廣泛�(yīng)用于需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄、配置存�(chǔ)和日志記錄的�(lǐng)�,例如:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的程序和狀�(tài)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療儀器中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)保存�
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的臨�(shí)緩存和設(shè)置保��
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)日志記錄�
5. �(jì)�?jī)x表中的消�(fèi)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
6. 任何需要高頻次�(xiě)入且必須保證�(shù)�(jù)不丟失的�(chǎng)合�
FM31L474K101EEG, FM31X474K101EFG