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時(shí)間：2025/5/23 11:18:34
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FM31X473K251EEG 是一款由富士通（Fujitsu）生產(chǎn)的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FRAM），它結(jié)合了非易失性和快速寫入的優(yōu)點(diǎn)。FRAM是一種基于鐵電技術(shù)的存儲(chǔ)器，具有低功耗、高讀寫耐久性以及數(shù)據(jù)保持時(shí)間長等特點(diǎn)。這款芯片適合需要頻繁寫入數(shù)據(jù)且要求數(shù)據(jù)可靠保存的應(yīng)用場(chǎng)景。
該器件采用標(biāo)準(zhǔn)SPI接口進(jìn)行通信，支持高達(dá) 26.67 MHz 的時(shí)鐘頻率，具備快速的數(shù)據(jù)傳輸能力。同時(shí)，其內(nèi)置的 EEPROM 兼容模式簡化了與傳統(tǒng)系統(tǒng)的集成。
容量：4Mb（512K x 8）
接口：SPI
工作電壓：1.7V 至 3.6V
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保持時(shí)間：超過10年
擦寫次數(shù)：10^12 次
封裝形式：WLCSP-10（晶圓級(jí)芯片尺寸封裝）
時(shí)鐘頻率：最高26.67MHz
FM31X473K251EEG 提供了出色的性能和可靠性。首先，由于 FRAM 技術(shù)的特性，該芯片能夠在不使用額外電源的情況下保存數(shù)據(jù)，并且支持極高的寫入次數(shù)，這使得它非常適合用于需要頻繁記錄數(shù)據(jù)的應(yīng)用，如工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)或醫(yī)療設(shè)備中的日志記錄。
其次，它的低功耗設(shè)計(jì)使它成為電池供電設(shè)備的理想選擇。此外，該芯片支持多種工作模式，包括正常模式和省電模式，從而進(jìn)一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)。
在物理特性方面，WLCSP 封裝使其非常緊湊，便于在空間受限的設(shè)計(jì)中使用。同時(shí)，寬泛的工作電壓范圍確保了其在不同供電環(huán)境下的兼容性。
最后，通過 SPI 接口提供的簡單易用的通信方式也降低了開發(fā)難度，加快了產(chǎn)品上市時(shí)間。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，例如工業(yè)自動(dòng)化中的數(shù)據(jù)記錄模塊、消費(fèi)電子產(chǎn)品的配置存儲(chǔ)、汽車電子系統(tǒng)的狀態(tài)保存單元以及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存。由于其卓越的耐久性和非易失性，F(xiàn)M3X473K251EEG 在需要長時(shí)間運(yùn)行和頻繁更新數(shù)據(jù)的環(huán)境中表現(xiàn)出色，如智能儀表、安全系統(tǒng)和便攜式醫(yī)療設(shè)備等。
MB85RS4MT, FM31X473K251EFG, MB85RC4MT
