GA0402A220KXBAC31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率晶體管,屬于增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件采用先進(jìn)的 GaN 技術(shù)制造,具有高頻、高效和高功率密度的特點(diǎn),適用于各種高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這種型號(hào)的晶體管在開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及射頻功率放大器等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
型號(hào):GA0402A220KXBAC31G
類(lèi)型:增強(qiáng)型 GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流:20A
柵極閾值電壓:1.8V~3.6V
導(dǎo)通電阻:220mΩ
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 5MHz
封裝形式:TO-247-4L
GA0402A220KXBAC31G 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
2. 低導(dǎo)通電阻:220mΩ 的導(dǎo)通電阻使得器件在導(dǎo)通狀態(tài)下具備較低的功耗。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能:支持高達(dá) 5MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,非常適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
4. 高效率:由于其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度,可以實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
5. 緊湊封裝:TO-247-4L 封裝設(shè)計(jì)便于散熱,并且易于集成到各種功率電路中。
6. 寬工作溫度范圍:能夠在 -40°C 至 +150°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
GA0402A220KXBAC31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS):用于提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小體積。 轉(zhuǎn)換器:在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備中提供高效的直流電壓轉(zhuǎn)換。
3. 射頻功率放大器:用于無(wú)線(xiàn)通信基站等高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 充電器和適配器:為消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品提供更高效的充電解決方案。
5. 太陽(yáng)能逆變器:實(shí)現(xiàn)光伏系統(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)換。
6. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高速電機(jī)控制。
GA0402A220KXBAC32G