時間：2025/5/23 19:11:04
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FM31N223J101EPG 是一款基于鐵電隨機存取存儲器（FRAM）技術(shù)的非易失性存儲芯片，由富士通（Fujitsu）生產(chǎn)。該芯片結(jié)合了 FRAM 的高速寫入、低功耗和高耐用性特點，適用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄、實時存儲和高可靠性的應(yīng)用環(huán)境。
FRAM 技術(shù)與傳統(tǒng) EEPROM 和閃存相比，具有更快的寫入速度、更低的功耗以及更高的讀寫耐久性，使其在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、汽車電子和消費類電子產(chǎn)品中得到廣泛應(yīng)用。
容量：256Kb (32K x 8)
接口類型：SPI
工作電壓：1.7V 至 3.6V
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
封裝形式：TSSOP-8
數(shù)據(jù)保存時間：超過10年
讀寫耐久性：高達10^12 次
FM31N223J101EPG 具有以下主要特性：
1. 高速寫入能力：無需頁面擦除操作，可直接進行數(shù)據(jù)寫入，顯著提高數(shù)據(jù)記錄效率。
2. 超低功耗：FRAM 技術(shù)在寫入時消耗極低的能量，適合電池供電設(shè)備。
3. 極高的讀寫耐久性：支持高達10萬億次的讀寫周期，遠超傳統(tǒng) EEPROM 和閃存。
4. 非易失性存儲：即使斷電后，數(shù)據(jù)也能長期保存。
5. 寬工作電壓范圍：支持從1.7V到3.6V的工作電壓，適應(yīng)多種電源系統(tǒng)。
6. SPI 接口：兼容標準 SPI 協(xié)議，易于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。
7. 工業(yè)級溫度范圍：能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，適用于惡劣條件下的應(yīng)用。
FM31N223J101EPG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)控制：如數(shù)據(jù)采集模塊、PLC 存儲等。
2. 醫(yī)療設(shè)備：例如監(jiān)護儀、血糖儀中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)記錄。
3. 汽車電子：用于事件數(shù)據(jù)記錄器（EDR）、輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)（TPMS）等。
4. 消費類電子產(chǎn)品：包括家用電器的狀態(tài)記憶功能和便攜式設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲。
5. 計量儀表：智能電表、水表和燃氣表中的歷史數(shù)據(jù)存儲。
6. 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）：傳感器節(jié)點的本地數(shù)據(jù)緩存和日志記錄。
MB85RS256A-MNE-Y5E, CAT25FR020AI-GJE
