GA0805Y153MXCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于 GaN Systems 公司推出� GS 系列�(chǎn)�。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高效率的特�(diǎn),專為高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì)�
這款 GaN 器件能夠顯著提升電源系統(tǒng)的性能,降低能量損�,并縮小整體系統(tǒng)尺寸。它非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及可再生能源�(lǐng)域中的高效功率轉(zhuǎn)換場��
型號:GA0805Y153MXCBR31G
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
工作電壓�650 V
連續(xù)漏極電流�8 A
�(dǎo)通電阻:150 mΩ
柵極電荷�24 nC
輸入電容�1750 pF
最大工作結(jié)溫:175 °C
封裝形式�8x8 mm QFN
GA0805Y153MXCBR31G 擁有以下顯著特性:
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,該器件具備超低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,從而實(shí)�(xiàn)更高的效��
2. 減小系統(tǒng)尺寸:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,其高頻工作能力可以減少無源元件(如電感和電容)的體�,從而減小整體解決方案的尺寸�
3. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)確保了良好的散熱性能,能夠在高功率密度下�(wěn)定運(yùn)��
4. 易于�(qū)�(dòng):較低的柵極電荷需求使得驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加簡單且成本更��
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,可在寬溫度范圍�(nèi)長期可靠工作�
GA0805Y153MXCBR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心電源:用于高效的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換,滿足�(xiàn)代數(shù)�(jù)中心對能效的要求�
2. 工業(yè)電源:適用于各類工業(yè)�(shè)備中的高性能開關(guān)電源�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括快充適配�、筆記本電腦電源��
4. 新能源領(lǐng)域:可用于太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
5. 電動(dòng)車輛:支持車載充電器和牽引逆變器等�(guān)鍵部件的開發(fā)�
GS66508P
GS61008P