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GA0805Y153MXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 18:05:12 查看 閱讀�32

GA0805Y153MXCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于 GaN Systems 公司推出� GS 系列�(chǎn)�。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高效率的特�(diǎn),專為高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)�(jì)�
  這款 GaN 器件能夠顯著提升電源系統(tǒng)的性能,降低能量損�,并縮小整體系統(tǒng)尺寸。它非常適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及可再生能源�(lǐng)域中的高效功率轉(zhuǎn)換場��

參數(shù)

型號:GA0805Y153MXCBR31G
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  工作電壓�650 V
  連續(xù)漏極電流�8 A
  �(dǎo)通電阻:150 mΩ
  柵極電荷�24 nC
  輸入電容�1750 pF
  最大工作結(jié)溫:175 °C
  封裝形式�8x8 mm QFN

特�

GA0805Y153MXCBR31G 擁有以下顯著特性:
  1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,該器件具備超低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,從而實(shí)�(xiàn)更高的效��
  2. 減小系統(tǒng)尺寸:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,其高頻工作能力可以減少無源元件(如電感和電容)的體�,從而減小整體解決方案的尺寸�
  3. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)確保了良好的散熱性能,能夠在高功率密度下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 易于�(qū)�(dòng):較低的柵極電荷需求使得驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加簡單且成本更��
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,可在寬溫度范圍�(nèi)長期可靠工作�

�(yīng)�

GA0805Y153MXCBR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)中心電源:用于高效的 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換,滿足�(xiàn)代數(shù)�(jù)中心對能效的要求�
  2. 工業(yè)電源:適用于各類工業(yè)�(shè)備中的高性能開關(guān)電源�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:包括快充適配�、筆記本電腦電源��
  4. 新能源領(lǐng)域:可用于太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  5. 電動(dòng)車輛:支持車載充電器和牽引逆變器等�(guān)鍵部件的開發(fā)�

替代型號

GS66508P
  GS61008P

ga0805y153mxcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-