FHW1210IF561KST是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低功��
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,優(yōu)化設(shè)�(jì)使其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備出色的熱�(wěn)定性和可靠��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電壓Vds�120V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大連續(xù)漏極電流Id�10A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�5.6mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot:Tj�-55℃至+175�
�(jié)電容Ciss�1350pF(典型值)
柵極電荷Qg�49nC(典型值)
FHW1210IF561KST具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可有效降低�(dǎo)通損��
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)��
3. 高擊穿電壓確保了其在高壓�(huán)境下的可靠運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù),增�(qiáng)了抗靜電能力�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
這些特性使得該MOSFET非常適合用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的應(yīng)用場(chǎng)��
FHW1210IF561KST主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC/DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制器件�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理部分�
由于其卓越的性能,這款MOSFET在各種工�(yè)、消�(fèi)�(lèi)及汽�(chē)電子�(yīng)用中都得到了廣泛�(yīng)��
FHW1210IF561KSS, IRFZ44N, FDP5800