時間：2025/5/22 18:23:59
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FHD4N60是一款N溝道增強型功率MOSFET，廣泛應用于開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等需要高效開關和低導通損耗的場景。該器件采用了先進的制造工藝，具有較低的導通電阻和較高的開關速度，從而提高了整體效率并降低了功耗。
其額定電壓為600V，適用于高壓環(huán)境下的應用，同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能。
最大漏源電壓：600V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：4.3A
導通電阻（典型值）：1.6Ω
柵極電荷：18nC
開關時間：開啟延遲時間25ns，上升時間15ns，關斷延遲時間30ns，下降時間15ns
結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃
1. 高擊穿電壓：600V的漏源電壓使其適合用于高電壓應用場景。
2. 低導通電阻：典型值為1.6Ω，在同級別產(chǎn)品中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠有效降低傳導損耗。
3. 快速開關能力：較小的柵極電荷和快速的開關時間，有助于減少開關損耗并提高工作效率。
4. 良好的熱穩(wěn)定性：即使在高溫環(huán)境下也能保持可靠的性能。
5. 緊湊封裝：通常采用TO-220或DPAK封裝，便于散熱設計和PCB布局。
1. 開關電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 逆變器
4. 電機驅(qū)動
5. PFC（功率因數(shù)校正）電路
6. 各類工業(yè)控制設備中的功率管理模塊
IRF640, FDP078N60, STP4NB60
