時間：2025/5/20 9:09:51
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FV55N332J202EGG 是一款由知名半導體制造商生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件采用了先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關(guān)速度的特點，適用于多種高效率電源管理應用。其出色的性能使其成為工業(yè)、消費電子和汽車領(lǐng)域中的理想選擇。
最大漏源電壓：330V
連續(xù)漏極電流：5.5A
導通電阻：0.6Ω
柵極電荷：45nC
開關(guān)時間：開啟時間28ns，關(guān)閉時間25ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
FV55N332J202EGG 具有以下顯著特性：
1. 高耐壓能力，能夠承受高達330V的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境。
2. 低導通電阻設(shè)計，僅為0.6Ω（典型值），有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)特性，柵極電荷小且開關(guān)時間短，適合高頻應用。
4. 寬工作溫度范圍，從-55℃到+175℃，保證在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛封裝，支持綠色制造。
該器件廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場景中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2. 電機驅(qū)動和逆變器電路。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和控制模塊。
4. 電池充電器及不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
FV55N330P, IRF540N, STW98N33M5
