IR2113SPBF是高電壓,高速功率MOSFET和IGBT�(qū)�(dòng)�,具有獨(dú)立的高側(cè)和低�(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技�(shù)使堅(jiān)固的整體�(jié)�(gòu)。邏輯輸入兼容標(biāo)�(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出,低�3.3V邏輯。輸出驅(qū)�(dòng)器具有高脈沖電流緩沖�(jí),設(shè)�(jì)用于最小的�(qū)�(dòng)器交�?zhèn)�?dǎo)。傳播延遲匹�,以�(jiǎn)化在高頻�(yīng)用中的使�。浮�(dòng)通道可用于驅(qū)�(dòng)高側(cè)配置的n通道功率MOSFET或IGBT,其工作電壓可達(dá)500�600��
專為自舉操作�(shè)�(jì)的浮�(dòng)通道
完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá) 600V
提供完全�(yùn)行時(shí)的電壓高�(dá)+500 V 的版� (IR2110)
容許�(fù)瞬態(tài)電壓�
不受 dV/dt 影響
柵極�(qū)�(dòng)供電電壓范圍�10 � 20V
雙通道欠壓鎖定
3.3 V 邏輯兼容
�(dú)立的邏輯供電電壓范圍�3.3 V � 20 V
邏輯和電源接� +/- 5 V 偏移
具有下拉� CMOS 施密特觸�(fā)輸入
逐周期邊緣觸�(fā)�(guān)斷邏�
雙通道的匹配傳播延�
輸出與輸入同�
品牌:Infineon(英飛凌)
封裝�16-SOIC
電壓-供電�3.3V~20V
工作溫度�-40°C~150°C(TJ�
安裝類型:表面貼裝型
基本�(chǎn)品編�(hào):IR2113
HTSUS�8542.39.0001
�(qū)�(dòng)配置:半�
通道類型:獨(dú)立式
�(qū)�(dòng)器數(shù)�
柵極類型:IGBT,N溝道MOSFET
邏輯電壓-VIL,VIH�6V�9.5V
電流-峰值輸出(灌入,拉出)�2A�2A
輸入類型:非反相
上升/下降�(shí)間(典型值)�25ns�17ns
高壓�(cè)電壓-最大值(自舉):600V
�(chǎn)品應(yīng)用:汽車�(jí)
濕氣敏感性等�(jí)(MSL)�3�168小時(shí)�
REACH狀�(tài):非REACH�(chǎn)�
ECCN:EAR99
IR2113SPBF原理�
IR2113SPBF引腳�
IR2113SPBF封裝