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FGL60N170DTU 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:13:29 查看 閱讀�240

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-264
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 1700 V
集電極—射極擊穿電�: 1700 V
集電極—射極飽和電�: 5 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 60 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 100 nA
功率耗散: 200 W
封裝: Tube
Part # Aliases: FGL60N170DTUNL

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fgl60n170dtu參數(shù)

  • 制造商Fairchild Semiconductor
  • �(chǎn)品種�IGBT 晶體�
  • 配置Single
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO1700 V
  • 集電極—射極飽和電�5 V
  • 柵極/�(fā)射極最大電�+/- 25 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�60 A
  • 柵極—射極漏泄電�+/- 100 nA
  • 功率耗散200 W
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 封裝 / 箱體TO-264-3
  • 封裝Tube
  • 集電極最大連續(xù)電流 Ic60 A
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 安裝�(fēng)�Through Hole
  • 工廠包裝�(shù)�25
  • 零件號別�FGL60N170DTU_NL
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