時間：2025/5/24 20:41:57
閱讀：11
FGD3N60UNDF 是一款 N 灃道通態(tài) MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)良的熱性能，能夠顯著提高電路效率并降低功耗。
FGD3N60UNDF 的耐壓值為 600V，使其非常適合在高壓環(huán)境下工作，同時其出色的動態(tài)性能也使得它成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓：600V
最大連續(xù)漏極電流：3A
最大柵極源極電壓：±20V
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：450mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時）
輸入電容：1080pF
總柵極電荷：25nC
開關(guān)速度：快速恢復(fù)
封裝形式：TO-220
1. 高耐壓能力，最大漏源電壓達(dá) 600V，適合高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)速度，可實(shí)現(xiàn)高頻操作，適用于開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間，便于布局與散熱管理。
6. 柵極驅(qū)動要求較低，易于與各種驅(qū)動電路配合使用。
FGD3N60UNDF 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合，包括但不限于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）及 AC-DC 適配器。
2. 電機(jī)驅(qū)動與控制，如家用電器中的風(fēng)扇、泵等。
3. 逆變器及不間斷電源（UPS）。
4. LED 驅(qū)動器和照明系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
IRF840,
STP3NB60Z,
FQA3N60C,
IXTN3N60P
