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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGD3N60LSDTM

FGD3N60LSDTM 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:30:52 查看 閱讀�226

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: DPAK
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 6 A
封裝: Reel
配置: Single

fgd3n60lsdtm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

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  • 型號
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fgd3n60lsdtm參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.5V @ 10V�3A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)6A
  • 功率 - 最�40W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FGD3N60LSDTM-NDFGD3N60LSDTMTR