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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FGD3325G2-F085V

FGD3325G2-F085V 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/27 14:38:23 查看 閱讀�47

FGD3325G2-F085V 是一款基于硅技�(shù)的高性能�(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,專為高頻開(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備中的電源管理解決方案�
  該型�(hào)屬于 Fairchild(現(xiàn)已被 ON Semiconductor 收購(gòu))推出的 FGD 系列 MOSFET,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效功率處理的�(chǎng)景�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):25A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  柵極電荷(Qg):46nC
  總電容(Ciss):1690pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5mΩ�,可顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力(25A�,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,能夠有效減少開(kāi)�(guān)損�,從而提升整體性能�
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
  5. 寬廣的工作至 +175℃),適�(yīng)多種極端條件下的�(yīng)用需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流和功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
  4. 工業(yè)逆變器和不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  5. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
  6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的消�(fèi)類電子產(chǎn)��

替代型號(hào)

FGD3325G2L-F085V, IRF3710, SI4485DY

fgd3325g2-f085v推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fgd3325g2-f085v參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�5,000�(xiàn)�15,000Factory
  • �(jià)�1 : �13.12000剪切帶(CT�2,500 : �6.01579卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)250 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)41 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)-
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)1.25V @ 4V�6A
  • 功率 - 最大�150 W
  • �(kāi)�(guān)能量-
  • 輸入類型邏輯
  • 柵極電荷21 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�800ns/5.1μs
  • �(cè)試條�5V�1 千歐
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)1.2 μs
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線 + 接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252AA