時(shí)間：2025/5/31 0:49:09
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CDB0130QRM 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯片，專為高頻率和高效率應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該芯片集成了增強(qiáng)型 GaN 晶體管和驅(qū)動器，能夠顯著降低開關(guān)損耗并提高功率密度。其封裝形式緊湊，適合用于電源適配器、快充設(shè)備、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
相比傳統(tǒng)硅基器件，CDB0130QRM 提供了更高的開關(guān)速度和更低的導(dǎo)通電阻，從而在高頻工作條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。
型號：CDB0130QRM
類型：GaN 功率晶體管
封裝：QFN 8x8mm
額定電壓：650V
額定電流：30A
導(dǎo)通電阻：40mΩ
柵極電荷：25nC
最大工作溫度：175℃
開關(guān)頻率：高達(dá) 5MHz
CDB0130QRM 的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
1. 高效功率轉(zhuǎn)換：得益于 GaN 技術(shù)，CDB0130QRM 在高頻操作下具有極低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高的整體效率。
2. 小型化設(shè)計(jì)：其緊湊的 QFN 封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用場景。
3. 快速開關(guān)能力：支持高達(dá) 5MHz 的開關(guān)頻率，大幅減少磁性元件體積，提升功率密度。
4. 熱性能優(yōu)越：具備良好的散熱能力，可承受較高溫度環(huán)境，確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 內(nèi)置保護(hù)功能：集成過流保護(hù)和熱關(guān)斷機(jī)制，提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
CDB0130QRM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. USB-PD 快速充電器：
作為核心功率級器件，CDB0130QRM 能夠支持高效率的小型快充頭設(shè)計(jì)。
2. 數(shù)據(jù)中心電源：
通過高效率和高頻工作，減少系統(tǒng)功耗和體積。
3. 電動汽車車載充電機(jī)：
提供快速充電能力，同時(shí)減小充電模塊的尺寸。
4. 工業(yè) DC-DC 轉(zhuǎn)換器：
適用于需要高效率、高功率密度的工業(yè)應(yīng)用。
5. 消費(fèi)類適配器：
助力輕薄便攜的電源適配器開發(fā)。
CDB0130QRMF, CDB0120QRM
