�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3PF
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 600 V
集電極—射極擊穿電�: 600 V
集電極—射極飽和電�: 3.1 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 20 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 40 A
柵極—射極漏泄電�: +/- 100 nA
功率耗散: 100 W
封裝: Tube
配置: Single
安裝�(fēng)�: Through Hole
Part # Aliases: FGAF40N60UFDTUNL