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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGA180N33ATDTU

FGA180N33ATDTU 發(fā)布時間 時間�2023/12/19 17:32:20 查看 閱讀�248

�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-3PN
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 330 V
柵極/�(fā)射極最大電�: +/- 30 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 180 A
封裝: Tube
配置: Single
最大工作溫�: + 150

最小工作溫�: - 55

安裝風格: Through Hole

fga180n33atdtu推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fga180n33atdtu參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型溝道
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)330V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開�1.4V @ 15V�40A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)180A
  • 功率 - 最�390W
  • 輸入類型標準�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應商設備封�TO-3PN
  • 包裝管件