FDS9926A 是一款高性能� N 沯道增強型功率場效應晶體� (MOSFET),專為高頻開關和功率管理應用設計。該器件采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和快速的開關速度,適用于多種電子電路中需要高效能和高可靠性的場合�
FDS9926A 的封裝形式通常� SO-8 � DPAK,其出色的電氣特性使其成為許多功率轉換器、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用的理想選擇�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�14.8A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�10nC
總電容:280pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
FDS9926A 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下僅� 3.5mΩ,有助于降低功耗并提升效率�
2. 快速開關性能,得益于其較小的柵極電荷和優(yōu)化的設計結構,適合高頻應��
3. 高度可靠的熱性能,能夠在較高的結溫下�(wěn)定運�,延長使用壽��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
5. 強大的過流保護能�,能夠承受短時間內的高電流沖擊,增強了器件的魯棒��
FDS9926A 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流器和降壓/升壓轉換��
2. 電機驅動電路,用于控制直流無刷電� (BLDC) 和步進電��
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和功率管理�
4. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉� (EPS) 和電池管理系�(tǒng) (BMS)�
5. 可再生能源解決方�,如太陽能逆變器和風力�(fā)電控制器�
FDS9927A, FDS9928A, IRFZ44N