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時(shí)間：2025/5/22 23:09:28
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FDS8876-NL是一種N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，廣泛用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通損耗的應(yīng)用中。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，確保了其在高電流和高頻應(yīng)用中的卓越性能。FDS8876-NL具有非常低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低功率損耗，并提供出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。
該MOSFET適用于各類電源管理場(chǎng)景，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等。此外，其小型化的封裝設(shè)計(jì)使得它非常適合于對(duì)空間有嚴(yán)格要求的便攜式電子設(shè)備。
類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vdss)：30V
最大連續(xù)漏極電流(Id)：15A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.4mΩ(典型值，在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷(Qg)：9nC
總功耗(Ptot)：22W
工作溫度范圍(Tj)：-55℃至+175℃
封裝形式：TO-263-3/SOT-89
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效減少導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力，支持高達(dá)15A的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開關(guān)性能，得益于較小的柵極電荷(Qg)，適合高頻應(yīng)用。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，最高結(jié)溫可達(dá)175℃，能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下長(zhǎng)期運(yùn)行。
5. 小型化表面貼裝封裝(SOT-89)，節(jié)省PCB空間。
6. 提供優(yōu)異的電磁兼容性(EMC)表現(xiàn)，降低干擾風(fēng)險(xiǎn)。
7. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)及DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離與功率傳輸。
6. LED驅(qū)動(dòng)器和背光控制模塊。
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
FDP8876NL, FDS8876, IXTT88N30L
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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