IPD029N04NF2S 是一� N 溝道邏輯增強型功� MOSFET,采用小型化� SOT23-3 封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關特性,適合在空間受限的應用中使�。它廣泛應用于負載開關、電源管�、便攜式設備的電池保護等場景�
該芯片設計旨在提供高效的功率轉換和低損耗表�(xiàn),同時保持較小的外形尺寸,以適應�(xiàn)代電子設備對緊湊設計的需��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻(Rds(on)):85mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極閾值電壓:1.8V~3.0V
功耗:0.6W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:SOT23-3
1. 極低的導通電阻確保高效功率傳輸并減少�(fā)��
2. 高速開關能力使其適用于高頻開關應用�
3. 小型化封裝設計節(jié)省了電路板空間�
4. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,在極端溫度下也能正常運��
5. 具有反向恢復電荷小的特點,進一步提升了效率�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�
1. 負載開關控制
2. 電池供電設備中的電池保護
3. DC/DC 轉換器中的同步整�
4. 便攜式設備的電源管理
5. 信號切換和功率級驅動
6. LED 驅動及一般用途的功率管理
IPB029N04NFP2S, IPP029N04NFDS2