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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > IPD029N04NF2S

IPD029N04NF2S 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 14:23:05 查看 閱讀�25

IPD029N04NF2S 是一� N 溝道邏輯增強型功� MOSFET,采用小型化� SOT23-3 封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關特性,適合在空間受限的應用中使�。它廣泛應用于負載開關、電源管�、便攜式設備的電池保護等場景�
  該芯片設計旨在提供高效的功率轉換和低損耗表�(xiàn),同時保持較小的外形尺寸,以適應�(xiàn)代電子設備對緊湊設計的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�2.9A
  導通電阻(Rds(on)):85mΩ(典型�,Vgs=10V時)
  柵極閾值電壓:1.8V~3.0V
  功耗:0.6W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:SOT23-3

特�

1. 極低的導通電阻確保高效功率傳輸并減少�(fā)��
  2. 高速開關能力使其適用于高頻開關應用�
  3. 小型化封裝設計節(jié)省了電路板空間�
  4. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,在極端溫度下也能正常運��
  5. 具有反向恢復電荷小的特點,進一步提升了效率�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�

應用

1. 負載開關控制
  2. 電池供電設備中的電池保護
  3. DC/DC 轉換器中的同步整�
  4. 便攜式設備的電源管理
  5. 信號切換和功率級驅動
  6. LED 驅動及一般用途的功率管理

替代型號

IPB029N04NFP2S, IPP029N04NFDS2

ipd029n04nf2s推薦供應� 更多>

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