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FDS6690A 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/8 15:33:12 查看 閱讀�378

FDS6690A是一種N溝道�(chǎng)效應(yīng)�,具有低電阻和高速開(kāi)�(guān)能力。它廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和照明控制等�(lǐng)��
  FDS6690A采用先�(jìn)的TrenchFET技�(shù),具有優(yōu)異的�(dǎo)通性能和可靠�。它的漏極電阻低�5.8mΩ,能夠承受最�30V的電�,最大的漏極電流�44A。此�,F(xiàn)DS6690A還具有快速開(kāi)�(guān)速度和低�(kāi)�(guān)損�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  FDS6690A的封裝形式為SOP-8,便于安裝和布局。它還具有ESD保護(hù)和短路保�(hù)功能,可確保�(shè)備的安全和穩(wěn)定�。此�,F(xiàn)DS6690A還具有溫度保�(hù)功能,當(dāng)溫度超過(guò)�(shè)定值時(shí),它�(huì)自動(dòng)�(guān)閉以避免�(guò)熱損��

參數(shù)指標(biāo)

1、漏極電阻: 5.8mΩ
  2、最大漏極電流:44A
  3、最大承受電壓:30V
  4、封裝形式:SOP-8
  5、通道�(lèi)型:N溝道
  6、工作溫度范圍:-55� ~ 175�

組成�(jié)�(gòu)

FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管由N溝道MOSFET管、反并聯(lián)二極管和保護(hù)電路組成。它的封裝形式為SOP-8,內(nèi)部有源極、柵極和漏極三�(gè)引腳,以及反并聯(lián)二極管的引腳�

工作原理

FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與一般的N溝道MOSFET管相同。當(dāng)柵極施加正電壓時(shí),電子會(huì)從源極注入通道,形成一�(gè)�(dǎo)電通道,電流流�(jīng)漏極。當(dāng)柵極電壓為零或負(fù)�(shí),通道�(huì)�(guān)�,電流無(wú)法流�(guò)管子�
  反并�(lián)二極管的作用是防止漏極電壓超�(guò)柵極電壓,導(dǎo)致柵極與源極短路。保�(hù)電路則可以保�(hù)管子不受�(guò)電流、過(guò)壓、過(guò)溫等因素的損��

技�(shù)要點(diǎn)

1、采用先�(jìn)的TrenchFET技�(shù),具有優(yōu)異的�(dǎo)通性能和可靠性�
  2、漏極電阻低�5.8mΩ,能夠承受最�30V的電�,最大的漏極電流�44A�
  3、具有快速開(kāi)�(guān)速度和低�(kāi)�(guān)損�,使其在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  4、具有ESD保護(hù)和短路保�(hù)功能,可確保�(shè)備的安全和穩(wěn)定��
  5、具有溫度保�(hù)功能,當(dāng)溫度超過(guò)�(shè)定值時(shí),它�(huì)自動(dòng)�(guān)閉以避免�(guò)熱損��

�(shè)�(jì)流程

FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管的�(shè)�(jì)流程包括以下幾�(gè)步驟�
  1、確定設(shè)�(jì)要求:根�(jù)�(yīng)用場(chǎng)景和需求,確定FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)和指�(biāo)�
  2、選型:根據(jù)�(shè)�(jì)要求,選擇適合的FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)��
  3、電路設(shè)�(jì):根�(jù)選型的FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)�,設(shè)�(jì)相應(yīng)的電路�
  4、PCB�(shè)�(jì):設(shè)�(jì)相應(yīng)的PCB電路�,將FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管及其它元器件�(jìn)行布局和連接�
  5、樣�(jī)制作:根�(jù)電路圖和PCB圖制作樣�(jī)�
  6、測(cè)試:�(duì)制作的樣�(jī)�(jìn)行測(cè)�,檢查其性能和可靠��
  7、優(yōu)化設(shè)�(jì):根�(jù)�(cè)試結(jié)果對(duì)電路和PCB�(jìn)行優(yōu)化設(shè)�(jì),以�(dá)到更好的性能和可靠性�
  8、批量生�(chǎn):對(duì)�(yōu)化后的設(shè)�(jì)�(jìn)行批量生�(chǎn)�

注意事項(xiàng)

1、在使用FDS6690AN溝道�(chǎng)效應(yīng)管時(shí),應(yīng)注意其最大承受電壓和最大漏極電�,避免過(guò)壓和�(guò)流導(dǎo)致元器件的損��
  2、在�(jìn)行電路設(shè)�(jì)和PCB�(shè)�(jì)�(shí),應(yīng)注意元器件的布局和連接,避免因布局不當(dāng)或連接不良�(dǎo)致性能下降或故��
  3、在�(jìn)行樣�(jī)制作和測(cè)試時(shí),應(yīng)注意安全和可靠性,避免因操作不�(dāng)�(dǎo)�?lián)p壞或傷害�
  4、在�(jìn)行優(yōu)化設(shè)�(jì)和批量生�(chǎn)�(shí),應(yīng)注意�(zhì)量和效率,避免因�(zhì)量問(wèn)題或生產(chǎn)效率低下�(dǎo)致生�(chǎn)成本增加或客�(hù)�(mǎn)意度降低�

fds6690a推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

fds6690a資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDS6690A
  • Single N-Channel, Logic Level, Power...
  • FAIRCHILD&nbs...
  • 閱覽

fds6690a參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs16nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1205pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)FDS6690ATR