FDS6675是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3.3-3封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on))特性,非常適合于便攜式設備中的負載開關、同步整流器以及電池供電設備中的DC/DC轉換應用。由于其小尺寸和高效�,F(xiàn)DS6675在空間受限的設計中表�(xiàn)�(yōu)��
此外,該芯片的高雪崩能力提高了系�(tǒng)的可靠�,能夠在過載或短路情況下提供額外的保護�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.1A
導通電阻:28mΩ(典型�,Vgs=4.5V時)
柵極電荷�9nC(典型值)
總功耗:410mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDS6675的主要特點是其低導通電阻,這使得它在高頻開關應用中能夠減少功率損耗并提高效率。同�,它的小型PDFN3.3-3封裝使其成為對PCB空間要求嚴格的理想選擇�
此外,該器件具備快速開關速度,減少了開關損耗,并且擁有良好的熱�(wěn)定性和耐受�,適合長期運行在高溫�(huán)境下的應用。另�,其低輸入電容和柵極閾值電壓也簡化了驅動電路設計�
FDS6675廣泛應用于便攜式電子設備領域,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的電源管理單元。它可以作為負載開關用于各種外設接口,例如USB端口的電力傳輸控��
同時,在DC/DC轉換器中,F(xiàn)DS6675可以用作同步整流器以提升轉換效率。此�,它還適用于電池管理系統(tǒng)中的保護電路和充電電路設��
FDS6670, FDS6672