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FDS6675 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 9:04:17 查看 閱讀�11

FDS6675是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3.3-3封裝形式。該器件具有低導通電阻(Rds(on))特性,非常適合于便攜式設備中的負載開關、同步整流器以及電池供電設備中的DC/DC轉換應用。由于其小尺寸和高效�,F(xiàn)DS6675在空間受限的設計中表�(xiàn)�(yōu)��
  此外,該芯片的高雪崩能力提高了系�(tǒng)的可靠�,能夠在過載或短路情況下提供額外的保護�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.1A
  導通電阻:28mΩ(典型�,Vgs=4.5V時)
  柵極電荷�9nC(典型值)
  總功耗:410mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

FDS6675的主要特點是其低導通電阻,這使得它在高頻開關應用中能夠減少功率損耗并提高效率。同�,它的小型PDFN3.3-3封裝使其成為對PCB空間要求嚴格的理想選擇�
  此外,該器件具備快速開關速度,減少了開關損耗,并且擁有良好的熱�(wěn)定性和耐受�,適合長期運行在高溫�(huán)境下的應用。另�,其低輸入電容和柵極閾值電壓也簡化了驅動電路設計�

應用

FDS6675廣泛應用于便攜式電子設備領域,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦的電源管理單元。它可以作為負載開關用于各種外設接口,例如USB端口的電力傳輸控��
  同時,在DC/DC轉換器中,F(xiàn)DS6675可以用作同步整流器以提升轉換效率。此�,它還適用于電池管理系統(tǒng)中的保護電路和充電電路設��

替代型號

FDS6670, FDS6672

fds6675推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • FDS6675
  • Single P-Channel, Logic Level, Power...
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  • Single P-Channel, Logic Level, Power...
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fds6675參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫歐 @ 11A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs42nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3000pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6675TR