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FDS6670AS 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:32:56 查看 閱讀�23

FDS6670AS 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,適用于多種高頻和高效能應(yīng)用場�。其封裝形式� SO-8,適合表面貼裝技�(shù),廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)��
  該器件的�(shè)計使其能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),同時具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特�,從而滿足現(xiàn)代電力電子系�(tǒng)對效率和可靠性的�(yán)格要��

參數(shù)

型號:FDS6670AS
  類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�5.5mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  Ids(連續(xù)漏極電流):42A
  Vgs(柵源極電壓范圍):±20V
  功耗:23W
  封裝形式:SO-8
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FDS6670AS 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  2. 高額定電流能� (Ids),可支持大功率應(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)速度,能夠有效減少開�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)用�
  4. 較寬的工作電壓范� (Vds),確保在不同條件下都能正常運(yùn)行�
  5. 小巧� SO-8 封裝�(shè)計,便于集成到緊湊型電路��
  6. 良好的熱特性和�(wěn)定�,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的長時間工作需��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

FDS6670AS 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)動電�,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)��
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS),用于保�(hù)和控制電池充放電過程�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換和信號隔離�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)和電源管��
  6. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動和�(diào)光功��
  7. 通信�(shè)備中的電源模塊和信號�(diào)節(jié)電路�

替代型號

FDS6672A, FDS6680A

fds6670as推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fds6670as資料 更多>

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fds6670as參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®, SyncFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 13.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1540pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6670AS-NDFDS6670ASFSTR