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FDS4559 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/5/29 13:44:22 查看 閱讀�618

FDS4559是一款高壓N溝道場效�(yīng)晶體管(MOSFET�,由Fairchild公司生產(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和低輸入電容等特�(diǎn),適用于高效能電源管�、直�-直流�(zhuǎn)換器、電池充放電控制等多種應(yīng)��
  FDS4559的主要特性包括:
  1、高電壓承受能力:器件的漏極-源極電壓(VDS)可�(dá)60V,使其能夠在高壓�(yīng)用中工作�
  2、低�(dǎo)通電阻:器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅�0.05Ω,能夠在低電壓降和低功耗的情況下提供高電流�
  3、高開關(guān)速度:器件具有快速的開關(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高頻率操��
  4、低輸入電容:器件的輸入電容(Ciss)較�,有利于減少�(qū)動電路的功耗和響應(yīng)�(shí)間�
  5、低漏電流:器件的漏極電流(IDSS)較小,有助于降低功耗和提高電池壽命�
  FDS4559采用了SOT-23封裝,具有三個引腳:漏極(D�、源極(S)和柵極(G�。其工作溫度范圍�-55℃至150℃�
  總體而言,F(xiàn)DS4559是一款性能�(yōu)異的高壓N溝道場效�(yīng)晶體�,適用于各種高壓�(yīng)用場�。它的低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和低輸入電容等特�(diǎn),使得它能夠在高效能電源管理、直�-直流�(zhuǎn)換器、電池充放電控制等領(lǐng)域發(fā)揮重要作��

參數(shù)和指�(biāo)

漏極-源極電壓(VDS):60V
  �(dǎo)通電阻(RDS(ON)):0.05Ω
  開關(guān)速度:快�
  輸入電容(Ciss):較小
  漏極電流(IDSS):較小
  封裝:SOT-23
  引腳:漏極(D�、源極(S�、柵極(G�
  工作溫度范圍�-55℃至150�

組成�(jié)�(gòu)

FDS4559是由N溝道MOSFET�(gòu)成的器件。它由漏極、源極和柵極組成。漏極和源極之間的電流通過柵極控制。封裝采用SOT-23�

工作原理

FDS4559是一種增�(qiáng)型N溝道MOSFET。在正常工作狀�(tài)�,柵�-源極電壓(VGS)被施加,當(dāng)VGS大于閾值電壓時(shí),溝道導(dǎo)�,形成導(dǎo)通狀�(tài)。當(dāng)VGS小于閾值電壓時(shí),溝道截�,形成截�?fàn)顟B(tài)。通過�(diào)節(jié)柵極電壓,可以控制漏�-源極之間的電��

技�(shù)要點(diǎn)

高電壓承受能力:FDS4559具有60V的漏�-源極電壓承受能力,適用于高壓�(yīng)用�
  低導(dǎo)通電阻:器件的導(dǎo)通電阻僅�0.05Ω,能夠在低電壓降和低功耗的情況下提供高電流�
  高開�(guān)速度:器件具有快速的開關(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高頻率操��
  低輸入電容:器件的輸入電容較�,有利于減少�(qū)動電路的功耗和響應(yīng)�(shí)��
  低漏電流:器件的漏極電流較小,有助于降低功耗和提高電池壽命�

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)FDS4559的流程包括:
  確定�(yīng)用場景和需�
  選取合適的工作電壓和電流要求
  根據(jù)電路要求選擇合適的封裝類�
  �(jìn)行電路設(shè)�(jì)和布局
  選擇合適的驅(qū)動電路和控制電路
  �(jìn)行原理圖�(shè)�(jì)和PCB布局
  �(jìn)行電路仿真和分析
  制造和測試樣品
  封裝和生�(chǎn)批量生產(chǎn)

常見故障及預(yù)防措�

過熱故障:在高功率應(yīng)用中,F(xiàn)DS4559可能會過熱。為了避免這種情況,可以在�(shè)�(jì)中增加散熱器或采用保�(hù)電路來控制溫度�
  電壓過高故障:如果FDS4559所承受的電壓超過其額定�,可能會�(dǎo)致器件損�。為了預(yù)防這種情況,設(shè)�(jì)�(shí)�(yīng)確保工作電壓在允許范圍內(nèi),并采取過壓保護(hù)措施�
  靜電放電故障:靜電放電可能會破壞FDS4559。為了防止這種情況,應(yīng)采取防靜電措施,如使用靜電手�、接地墊��

fds4559推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

fds4559資料 更多>

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fds4559參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列PowerTrench®
  • FET �N � P 溝道
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4.5A�3.5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds650pF @ 25V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS4559-NDFDS4559TR