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FDP8N50NZ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 9:25:27 查看 閱讀�28

FDP8N50NZ 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-220 封裝形式。該器件適用于高電壓、高效率的開(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合。其耐壓值為 500V,導(dǎo)通電阻低,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率。此�,F(xiàn)DP8N50NZ 具有快速開(kāi)�(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定�,適合工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(yīng)用領(lǐng)��
  FDP8N50NZ 的設(shè)�(jì)注重高性能與可靠�,能夠在�(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源極電壓�500V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  最大柵極源極電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.4Ω
  總功耗:160W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

1. 高耐壓能力�500V 的漏源極電壓使其非常適合高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 1.4Ω,在高電流下可有效減少功率損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:具備較低的輸入電容和輸出電�,有助于�(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采� TO-220 封裝,具有良好的散熱性能,能承受較高的結(jié)溫�
  5. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,確保在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足�(guó)際規(guī)范要求�

�(yīng)�

FDP8N50NZ 廣泛�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和高耐壓特性的�(chǎng)景中,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC 適配器等電路�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):支持各種類(lèi)型的電機(jī)控制,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)��
 ?。河米鞴β�?jí)�(kāi)�(guān)元件,實(shí)�(xiàn)能量�(zhuǎn)換�
  4. 電池管理系統(tǒng):適用于電動(dòng)�(chē)、儲(chǔ)能設(shè)備等中的電池充放電管��
  5. 電磁閥和繼電器驅(qū)�(dòng):提供足夠的�(qū)�(dòng)能力和保�(hù)功能�

替代型號(hào)

FDP8N50,
  IRF840,
  STP8NK50Z

fdp8n50nz推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdp8n50nz資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdp8n50nz參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫歐 @ 4A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds735pF @ 25V
  • 功率 - 最�139W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 成形引線
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220-3
  • 包裝管件