FDR838P 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動以及開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用 TO-252 封裝形式,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于多種中低壓場��
其設(shè)計結(jié)合了先進的制造工�,確保了在高頻開�(guān)應用中的�(yōu)異性能。此�,F(xiàn)DR838P 還具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合長時間連續(xù)工作�
漏源電壓(Vds)�60V
柵源電壓(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�7.1A
導通電�(Rds(on))�0.13Ω(典型值,� Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�2.4W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�
封裝形式:TO-252
FDR838P 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),有助于減少功率損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應用的需��
3. 較寬的工作電壓范�,適應性更��
4. 熱穩(wěn)定性好,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
6. 小巧的封裝設(shè)計節(jié)省了 PCB 空間,同時保持了較高的電氣性能�
這些特點使得 FDR838P 成為許多�(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇�
FDR838P 的典型應用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. 直流電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
3. LED �(qū)動電路中的負載控��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
5. 各類消費電子�(chǎn)品中的負載切換�
由于其出色的性能和可靠�,這款 MOSFET 在工�(yè)控制、家用電器及汽車電子等領(lǐng)域也得到了廣泛應��
FQP17N06L, IRLZ44N, AO3400