FDP75N08A MOSFET被定制為降低�(dǎo)通電�,并提供更好的開�(guān)性能和更高的雪崩能量�(qiáng)�。該器件系列適用于開�(guān)電源�(zhuǎn)換器�(yīng)用,如功率因�(shù)校正(PFC�、平板顯示器(FPD)電視電�、ATX和電子燈�(zhèn)流器�
75A�75V,RDS(開啟)=11 m?VGS=10 V
低柵極電荷(典型145nC�
低鉻�86pF型)
改�(jìn)的dv/dt能力
耗散功率�137 W
漏源極電�(Vds)�75 V
上升�(shí)間:212 ns
輸入電容(Ciss)�3437pF 25V(Vds)
額定功率(Max)�137 W
下降�(shí)間:147 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�137000 mW
安裝方式:Through Hole
引腳�(shù)�
封裝:TO-220-3
長度�10.67 mm
寬度�4.83 mm
高度�9.4 mm
封裝:TO-220-3
含鉛�(biāo)�(zhǔn):Lead Free
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tube