FDP51N25是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn),適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用場合。
這款MOSFET在25V的工作電壓下能夠提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn),并且由于其良好的熱特性和電氣特性,適合需要高效能功率管理的電路設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:25V
連續(xù)漏極電流:69A
柵極-源極電壓(Vgs):±20V
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時)
總功耗:140W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
FDP51N25采用了先進(jìn)的功率MOSFET制造工藝,具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少導(dǎo)通損耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
4. 較高的電流承載能力,支持大功率應(yīng)用。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保友好。
6. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
FDP51N25廣泛應(yīng)用于多種功率電子領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率級開關(guān)。
2. 電動工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率控制模塊。
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場景。
IRFZ44N
STP55NF06
FQP50N06L