A-SL680W1D-A01-3T-M是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為需要高效能和高可靠性的應用設計。該器件采用了先進的制造工藝,在開關電�、電機驅動和負載切換等場景中表現(xiàn)出色。其獨特的封裝形式和�(yōu)化的電氣特性使其成為許多工�(yè)及消費電子領域中的理想選��
型號:A-SL680W1D-A01-3T-M
類型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源極電�)�650V
RDS(on)(導通電�)�120mΩ
ID(連續(xù)漏極電流)�8A
Qg(柵極電荷)�40nC
封裝形式:TO-263-3
工作溫度范圍�-55℃至+175�
這款功率MOSFET具有以下主要特點�
1. 高耐壓能力(VDS=650V),適用于多種高壓應用場景�
2. 低導通電�(RDS(on)=120mΩ),有效降低傳導損耗并提升效率�
3. 極低的輸入電容和輸出電容,保證了快速的開關速度,減少了開關損��
4. �(nèi)置ESD保護功能,提升了器件在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力�
5. 支持高頻開關操作,適合于開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
7. 耐熱性能�(yōu)�,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運��
A-SL680W1D-A01-3T-M廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(Switch Mode Power Supplies, SMPS)
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模�
6. LED驅動電路
7. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率調節(jié)單元
A-SL680W1D-A02-3T-M
A-SL680W1D-A01-3T-P
IRF840
STP80NF65