FDN359AN-NL 時間：2025/5/23 15:53:57 閱讀：13

FDN359AN-NL是一款由Fairchild（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小型SOT-23封裝，適合用于需要高效能和小體積的電路設(shè)計中。它廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、通信設(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
　　FDN359AN-NL的主要特點是其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這使得它在開關(guān)應(yīng)用中能夠有效減少功率損耗并提升整體效率。此外，該MOSFET還具有快速開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±12V
　　持續(xù)漏極電流：340mA
　　脈沖漏極電流：1.1A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.6Ω（典型值，Vgs=4.5V時）
　　總功耗：360mW
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至150℃

特性

FDN359AN-NL具有非常低的導(dǎo)通電阻，這對于降低功耗至關(guān)重要。同時，其快速的開關(guān)性能使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　由于采用了SOT-23的小型封裝，這款MOSFET可以輕松集成到空間受限的設(shè)計中。它的高耐壓能力（30V）保證了在多種電路環(huán)境下的可靠性。
　　此外，該器件具備出色的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的電氣性能。

應(yīng)用

FDN359AN-NL常用于負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電源管理模塊、便攜式設(shè)備中的電池保護電路以及信號切換等應(yīng)用。
　　其小巧的尺寸和高效的性能特別適用于手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備以及其他便攜式電子產(chǎn)品的設(shè)計。
　　另外，這款MOSFET也可用于汽車電子系統(tǒng)的某些部分，例如信息娛樂系統(tǒng)或傳感器接口中的開關(guān)控制。