類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
�(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�15.8 毫歐 @ 25A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�43A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�4V @ 50μA
閘電�(Qg) @ Vgs�30nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �1150pF @ 50V
功率 - 最大:71W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3(直引線�
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-262
廠商 |
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Infineon / IR |