FDG313N是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率管理、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
FDG313N的主要特�(diǎn)包括低柵極電�、高電流處理能力和出色的熱性能,適用于各種需要高效能和高可靠性的電子�(yīng)�。其封裝形式通常為SOT-23或類似的表面貼裝封裝,便于在緊湊型設(shè)計中使用�
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�1.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�170mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
柵極電荷(Qg)�8nC(典型值)
總功�(Ptot)�450mW
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+150�
1. 極低的導(dǎo)通電�(Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用�
3. 高浪涌電流能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
4. 小型化封裝(如SOT-23�,非常適合空間受限的�(yīng)用�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
1. 開關(guān)電源中的同步整流��
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. 便攜式電子產(chǎn)品中的電源管��
4. LED�(qū)動電路中的開�(guān)元件�
5. 小型電機(jī)控制和驅(qū)��
6. 信號路徑保護(hù)及ESD防護(hù)電路�
AO3400
IRLML6401
FDMC869
Si2302DS