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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CDR31BP561AFZPAT

CDR31BP561AFZPAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 14:40:08 查看 閱讀�15

CDR31BP561AFZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于N溝道增強(qiáng)型器�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,能夠在高頻和高效率�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適用于各種電源管理�(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):CDR31BP561AFZPAT
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源極電�(Vds)�60V
  柵源極電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�14A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.9mΩ(典型值,在Vgs=10V條件下)
  總功�(Ptot)�178W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

CDR31BP561AFZPAT具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�(3.9mΩ),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)�,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗�
  3. 高耐壓能力,額定漏源極電壓�60V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
  4. 大電流處理能�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá)14A,滿足大功率需��
  5. 出色的熱�(wěn)定�,可承受較高的結(jié)溫范�(-55℃至175�),確保在極端條件下的可靠��
  6. 采用TO-247-3封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì)和電路板布局�
  7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��

�(yīng)�

CDR31BP561AFZPAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換模��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電動(dòng)車充電站和逆變器中的高效功率變換電路�
  5. LED照明�(qū)�(dòng)�,提供穩(wěn)定的電流輸出以確保亮度種需要高效功率傳輸和快速響�(yīng)的電子設(shè)備�

替代型號(hào)

CDR31BP560AFZPAT, IRFZ44N, FDP5570N

cdr31bp561afzpat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�P�0.1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-