CDR31BP561AFZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于N溝道增強(qiáng)型器�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,能夠在高頻和高效率�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適用于各種電源管理�(chǎng)��
型號(hào):CDR31BP561AFZPAT
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.9mΩ(典型值,在Vgs=10V條件下)
總功�(Ptot)�178W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至175�
封裝形式:TO-247-3
CDR31BP561AFZPAT具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�(3.9mΩ),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)�,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損耗�
3. 高耐壓能力,額定漏源極電壓�60V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
4. 大電流處理能�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá)14A,滿足大功率需��
5. 出色的熱�(wěn)定�,可承受較高的結(jié)溫范�(-55℃至175�),確保在極端條件下的可靠��
6. 采用TO-247-3封裝形式,便于散熱設(shè)�(jì)和電路板布局�
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
CDR31BP561AFZPAT廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)換模��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
4. 電動(dòng)車充電站和逆變器中的高效功率變換電路�
5. LED照明�(qū)�(dòng)�,提供穩(wěn)定的電流輸出以確保亮度種需要高效功率傳輸和快速響�(yīng)的電子設(shè)備�
CDR31BP560AFZPAT, IRFZ44N, FDP5570N