FDD6680AS是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場合,廣泛用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。其低導(dǎo)通電阻特性能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
總柵極電荷:9.5nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至150�
FDD6680AS具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下為40mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻操�,降低了開關(guān)損��
3. 高電流承載能力,支持高達13A的連續(xù)漏極電流�
4. 強固的設(shè)計使其能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行,例如高溫或高濕度條��
5. 小型化的TO-252封裝�(shè)�,簡化了PCB布局并節(jié)省空��
FDD6680AS適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 電機�(qū)動電路中作為�(qū)動晶體管使用�
3. 負載開關(guān),在需要高效開�/�(guān)閉負載電流的�(yīng)用中�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)組件�
5. 各類電池保護電路及過流保護方案中的關(guān)鍵元器件�
FDP5570N, IRFZ44N, STP13NF06L