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FDD6680AS 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 11:31:44 查看 閱讀�22

FDD6680AS是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件適用于高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用場合,廣泛用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。其低導(dǎo)通電阻特性能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�13A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  總柵極電荷:9.5nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

FDD6680AS具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型條件下為40mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻操�,降低了開關(guān)損��
  3. 高電流承載能力,支持高達13A的連續(xù)漏極電流�
  4. 強固的設(shè)計使其能夠在惡劣�(huán)境下可靠運行,例如高溫或高濕度條��
  5. 小型化的TO-252封裝�(shè)�,簡化了PCB布局并節(jié)省空��

�(yīng)�

FDD6680AS適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電機�(qū)動電路中作為�(qū)動晶體管使用�
  3. 負載開關(guān),在需要高效開�/�(guān)閉負載電流的�(yīng)用中�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心開�(guān)組件�
  5. 各類電池保護電路及過流保護方案中的關(guān)鍵元器件�

替代型號

FDP5570N, IRFZ44N, STP13NF06L

fdd6680as推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdd6680as資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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fdd6680as參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C55A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 12.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs29nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 15V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD6680AS-NDFDD6680ASFSTR