GN1A4M-D-T1 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),通常用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
GN1A4M-D-T1 屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高密度�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�3.7A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�9nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 15ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
1. 低導(dǎo)通電阻:GN1A4M-D-T1 的導(dǎo)通電阻僅� 40mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,從而提高整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其低柵極電荷和短開(kāi)�(guān)�(shí)�,該器件非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�,能夠在高頻條件下保持高效運(yùn)行�
3. 高可靠性:器件�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
4. 小型化封裝:TO-252 封裝使其適用于空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)�,同�(shí)具備良好的散熱性能�
1. �(kāi)�(guān)電源:可用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適合小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路�
3. 電池管理:用作電池保�(hù)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
4. 工業(yè)控制:適用于各種工業(yè)�(shè)備中的功率控制模塊�
IRLZ44N, AO3400A