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GN1A4M-D-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 12:31:25 查看 閱讀�29

GN1A4M-D-T1 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),通常用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  GN1A4M-D-T1 屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高密度�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�3.7A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷�9nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� 15ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

1. 低導(dǎo)通電阻:GN1A4M-D-T1 的導(dǎo)通電阻僅� 40mΩ,可顯著降低�(dǎo)通損�,從而提高整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:由于其低柵極電荷和短開(kāi)�(guān)�(shí)�,該器件非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)�,能夠在高頻條件下保持高效運(yùn)行�
  3. 高可靠性:器件�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
  4. 小型化封裝:TO-252 封裝使其適用于空間受限的�(shè)�(jì)�(chǎng)�,同�(shí)具備良好的散熱性能�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源:可用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適合小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的驅(qū)�(dòng)電路�
  3. 電池管理:用作電池保�(hù)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
  4. 工業(yè)控制:適用于各種工業(yè)�(shè)備中的功率控制模塊�

替代型號(hào)

IRLZ44N, AO3400A

gn1a4m-d-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)