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時(shí)間：2025/5/29 2:40:15
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FDD5N60NZTM 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)。該器件適用于高電壓、高電流的開關(guān)應(yīng)用，如電機(jī)控制、電源管理、逆變器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景。其設(shè)計(jì)具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能，能夠提升系統(tǒng)的效率并減少發(fā)熱。
FDD5N60NZTM 的封裝形式為 TO-220，便于散熱和集成到各種電路中。由于其高耐壓特性（最高可達(dá) 600V），這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家用電器以及汽車電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：5A
導(dǎo)通電阻：3.2Ω
柵極電荷：15nC
最大功耗：70W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
FDD5N60NZTM 具備以下主要特性：
1. 高擊穿電壓：可承受高達(dá) 600V 的漏源電壓，適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻：在典型條件下，導(dǎo)通電阻僅為 3.2Ω，有助于降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)能力：具備較小的柵極電荷（15nC），從而實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)操作，減少開關(guān)損耗。
4. 高可靠性：經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試和篩選，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：能夠在 -55℃ 至 +150℃ 的寬溫范圍內(nèi)正常工作，適應(yīng)惡劣環(huán)境條件。
6. 封裝優(yōu)勢(shì)：采用標(biāo)準(zhǔn) TO-220 封裝，便于安裝和散熱。
FDD5N60NZTM 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 電源管理系統(tǒng)：用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：控制直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的速度和方向。
3. 工業(yè)自動(dòng)化：用作固態(tài)繼電器或負(fù)載切換開關(guān)。
4. 家用電器：例如空調(diào)、洗衣機(jī)等設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 汽車電子：包括電動(dòng)車窗、座椅調(diào)節(jié)及照明系統(tǒng)等領(lǐng)域。
6. 逆變器設(shè)計(jì)：支持太陽能逆變器或其他類型逆變器的核心開關(guān)組件。
FDD5N60NZ, IRF540N, STP5NK60Z
