FDD5690是一款N溝道增強型MOSFET場效應晶體管,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉換器等需要高效能功率控制的場景中。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
這款MOSFET具有出色的熱性能和電氣特性,非常適合用于消費電子、工�(yè)設備以及汽車電子等領域�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�32A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�48nC
輸入電容�1780pF
總電容:525pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在高電流應用中可以減少能量損耗�
2. 高擊穿電�,保證了其在復雜電路�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
3. 快速開關速度,有助于提升整體系統(tǒng)的效率并降低電磁干擾�
4. 具有較強的抗雪崩能力和熱�(wěn)定性,能夠在極端條件下正常工作�
5. 小型化封裝設計,便于集成到緊湊型電路板上�
1. 開關電源中的功率開關元件�
2. 各類電機�(qū)動電路中的功率控制器��
3. DC-DC轉換器的核心功率元件�
4. 電池保護電路中的過流保護元件�
5. 汽車電子中的負載開關和繼電器替代方案�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
FDP5600
FDS6680
IRFZ44N