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FDD5690 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 12:48:08 查看 閱讀�30

FDD5690是一款N溝道增強型MOSFET場效應晶體管,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉換器等需要高效能功率控制的場景中。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有較低的導通電阻和較高的電流處理能力,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低功��
  這款MOSFET具有出色的熱性能和電氣特性,非常適合用于消費電子、工�(yè)設備以及汽車電子等領域�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�32A
  導通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�48nC
  輸入電容�1780pF
  總電容:525pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在高電流應用中可以減少能量損耗�
  2. 高擊穿電�,保證了其在復雜電路�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠��
  3. 快速開關速度,有助于提升整體系統(tǒng)的效率并降低電磁干擾�
  4. 具有較強的抗雪崩能力和熱�(wěn)定性,能夠在極端條件下正常工作�
  5. 小型化封裝設計,便于集成到緊湊型電路板上�

應用

1. 開關電源中的功率開關元件�
  2. 各類電機�(qū)動電路中的功率控制器��
  3. DC-DC轉換器的核心功率元件�
  4. 電池保護電路中的過流保護元件�
  5. 汽車電子中的負載開關和繼電器替代方案�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��

替代型號

FDP5600
  FDS6680
  IRFZ44N

fdd5690推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdd5690資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdd5690參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�High Voltage Switches for Power Processing
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 9A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs32nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1110pF @ 25V
  • 功率 - 最�1.3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�TO-252
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDD5690-NDFDD5690TR