FDC653N是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN33-3封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)�、電源管�、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)��
這款MOSFET的主要優(yōu)�(shì)在于其優(yōu)異的性能參數(shù)和小型化的封裝設(shè)�(jì),能夠有效降低功耗并提升效率,同�(shí)滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,�(dāng)Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�2.7nC(典型值)
輸入電容�185pF(典型值)
總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�152�/W
FDC653N具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)��
3. 小尺寸PDFN33-3封裝,適合空間受限的�(yīng)��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
5. 提供良好的電氣特性和�(wěn)定�,適用于各種�(fù)雜的工作條件�
6. 具備較強(qiáng)的抗浪涌能力和魯棒�,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
FDC653N廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦中的電源管理模��
2. 各類便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
4. USB充電端口保護(hù)及切��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理方��
6. 一般工�(yè)控制和汽車電子中的低壓開�(guān)�(yīng)��
FDS6532N, FDN337N