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FDC653N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 20:09:41 查看 閱讀�25

FDC653N是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN33-3封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于便攜式�(shè)�、電源管�、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)��
  這款MOSFET的主要優(yōu)�(shì)在于其優(yōu)異的性能參數(shù)和小型化的封裝設(shè)�(jì),能夠有效降低功耗并提升效率,同�(shí)滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)空間節(jié)省的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�3.9A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ(典型值,�(dāng)Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�2.7nC(典型值)
  輸入電容�185pF(典型值)
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)�152�/W

特�

FDC653N具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)��
  3. 小尺寸PDFN33-3封裝,適合空間受限的�(yīng)��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  5. 提供良好的電氣特性和�(wěn)定�,適用于各種�(fù)雜的工作條件�
  6. 具備較強(qiáng)的抗浪涌能力和魯棒�,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

FDC653N廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的電源管理模��
  2. 各類便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
  4. USB充電端口保護(hù)及切��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池管理方��
  6. 一般工�(yè)控制和汽車電子中的低壓開�(guān)�(yīng)��

替代型號(hào)

FDS6532N, FDN337N

fdc653n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdc653n資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • FDC653N
  • N-Channel Enhancement Mode Field Eff...
  • FAIRCHILD
  • 閱覽

fdc653n參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C5A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 15V
  • 功率 - 最�800mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 �(xì)�,TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDC653NTR