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IRF8707GTRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 11:03:06 查看 閱讀�22

IRF8707GTRPBF是一款由Infineon(英飛凌)生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種電源管理應(yīng)�,包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景�
  該器件采用TO-263-3 (D2PAK)封裝形式,具備出色的散熱性能和較高的電流承載能力�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流�49A
  最大柵極源極電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(典型值)�9.5mΩ
  總功耗:225W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:TO-263-3 (D2PAK)
  封裝類型:無�

特�

IRF8707GTRPBF具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用�
  3. 較寬的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 具備良好的熱性能,有助于提升器件的可靠性和壽命�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于安裝和集成到各種電路板��
  這些特性使得IRF8707GTRPBF成為許多高性能電源管理系統(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用作主開�(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流或無刷直流電機(jī)�
  4. �(fù)載開�(guān):快速切換不同負(fù)載狀�(tài)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�
  6. 汽車電子:例如電池管理系�(tǒng)、啟�(dòng)電機(jī)控制��
  憑借其卓越的電氣特性和可靠�,IRF8707GTRPBF在眾多電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRF8707GTRPBF, IRL8707GTRPBF

irf8707gtrpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

irf8707gtrpbf資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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irf8707gtrpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11.9 毫歐 @ 11A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.35V @ 25µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs9.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds760pF @ 15V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF8707GTRPBFTR