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FDC5614P 發(fā)布時間 時間�2024/2/18 14:20:06 查看 閱讀�435

FDC5614P是一款高壓功率MOSFET晶體�。它由Fairchild公司�(shè)計和生產(chǎn),是其SuperFET系列的一部分。FDC5614P采用了先�(jìn)的功率MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度�
FDC5614P的主要特點包括:工作電壓高達(dá)60V,漏極電流高�(dá)27A,導(dǎo)通電阻低�0.026Ω。這些特點使其非常適合用于需要高功率和高效率的應(yīng)用,如電源管�、電動工具、電�(jī)�(qū)動等�
FDC5614P具有�(yōu)秀的開�(guān)特�,能夠快速開�(guān),從而減少功率損耗和熱量�(chǎn)�。此外,它還具有低漏電流和低開關(guān)電壓,使得它在應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)高效能的能源�(zhuǎn)��
FDC5614P采用了TO-252封裝,這種封裝具有良好的熱�(dǎo)性能,可以幫助散�,從而保持晶體管的工作溫度在安全范圍�(nèi)�
總之,F(xiàn)DC5614P是一款高壓功率MOSFET晶體�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱�(dǎo)性能。它適用于各種需要高功率和高效率的應(yīng)�,是一款性能�(wěn)定可靠的晶體管產(chǎn)��

參數(shù)指標(biāo)

額定電壓(Vds):100V
  額定電流(Id):5.6A
  靜態(tài)電阻(Rds(on)):0.08Ω
  動態(tài)電阻(Rds(on)):0.1Ω
  最大功率(Pd):2.5W
  封裝類型:SOT-23

組成�(jié)�(gòu)

FDC5614P采用MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)�(jié)�(gòu),由漏極(Drain)、源極(Source)和柵極(Gate)三個電極組�。漏極和源極之間的電流由柵極控制�

工作原理

�(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時,MOSFET處于�(dǎo)通狀�(tài),漏極和源極之間的電流可以通過。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時,MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài),漏極和源極之間的電流無法通過�

技�(shù)要點

高耐壓:FDC5614P的額定電壓為100V,可以承受較高的電壓�
  低導(dǎo)通電阻:靜態(tài)電阻(Rds(on))和動態(tài)電阻(Rds(on))都很低,能夠提供較小的電壓降和功率損耗�
  適用于高功率�(yīng)用:FDC5614P的最大功率為2.5W,適合用于高功率�(yīng)用場��

�(shè)計流�

確定�(yīng)用場景和需��
  根據(jù)需求選擇合適的MOSFET晶體管,如FDC5614P�
  根據(jù)電路�(shè)計要�,確定工作電�、電流等參數(shù)�
  �(jìn)行原理圖�(shè)計和PCB布局�
  �(jìn)行電路仿真和驗證�
  制作樣品�(jìn)行測試和性能評估�
  �(jìn)行批量生�(chǎn)和應(yīng)用推��

注意事項

在使用過程中,要避免超過FDC5614P的最大額定電壓和最大額定電�,以免損壞晶體管。在焊接和布局�,要注意散熱和電流通路的設(shè)計,以確保晶體管的正常工��

�(fā)展歷�

FDC5614P是一款高壓功率MOSFET晶體�,其�(fā)展歷程可以追溯到MOSFET晶體管的起源和發(fā)展�
  MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)晶體管是一種重要的電子器件,它可以在高壓和高功率應(yīng)用中提供可靠的性能。MOSFET晶體管的�(fā)展歷程可以分為幾個階��
  第一階段�20世紀(jì)60年代早期,MOSFET晶體管作為一種新型的半導(dǎo)體器件出�(xiàn)。這些早期的MOSFET晶體管主要用于低功率和低壓應(yīng)�,如小型電路和計算機(jī)等�
  隨著技�(shù)的不斷�(jìn)�,MOSFET晶體管逐漸得到改�(jìn),以適應(yīng)更高的功率和電壓要求。第二階段是70年代,MOSFET晶體管的功率和電壓能力得到了顯著提升。這些改�(jìn)包括改變材料和結(jié)�(gòu),以提高晶體管的性能�
  �80年代�90年代,MOSFET晶體管的�(fā)展�(jìn)一步加速。新的材料和制造技�(shù)的引入使得MOSFET晶體管能夠承受更高的功率和電�。此�,設(shè)計和�(yōu)化方法的改�(jìn)也提高了MOSFET晶體管的效率和可靠��
  到了21世紀(jì),MOSFET晶體管的�(fā)展重點轉(zhuǎn)向了更高的功率和更高的電壓應(yīng)�。這是為了滿足電子�(shè)備和系統(tǒng)對更高性能的需�。FDC5614P作為一款高壓功率MOSFET晶體�,在這個背景下得以開發(fā)和推��
  FDC5614P具有較高的電壓和功率能力,能夠承受較高的電壓和電�。它采用了先�(jìn)的材料和�(shè)�,以提供更好的性能和可靠�。其�(jié)�(gòu)和制造工藝經(jīng)過精心設(shè)計和�(yōu)化,以確保最佳性能和可靠��
  隨著科學(xué)技�(shù)的不斷�(jìn)步,高壓功率MOSFET晶體管的�(fā)展仍在繼�(xù)。未來,我們可以預(yù)見更高的功率和電壓能�,更小的尺寸和更低的功�,以滿足不斷增長的電子設(shè)備和系統(tǒng)的需求。FDC5614P只是高壓功率MOSFET晶體管發(fā)展歷程中的一個里程碑,更多創(chuàng)新和�(jìn)步將會推動這一�(lǐng)域的�(fā)��

fdc5614p推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdc5614p資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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fdc5614p參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds759pF @ 30V
  • 功率 - 最�800mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 �(xì)型,TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-SSOT
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDC5614PTR