日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FDB33N25TM

FDB33N25TM 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 23:10:24 查看 閱讀�7

FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用先進的溝槽式技術制造,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于各類電源管理及功率轉(zhuǎn)換場�。其額定電壓� 25V,適用于需要高效功率處理的工業(yè)、消費電子以及通信領域�
  FDB33N25TM 的設計優(yōu)化了導通損耗和開關損耗之間的平衡,適合高頻開關應�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、負載開關和多相電源�。此�,其封裝形式通常為表面貼裝類型(� SO-8 � PowerPAK�,便于現(xiàn)� PCB 設計中的自動化裝配�

參數(shù)

最大漏源電壓:25V
  連續(xù)漏極電流�33A
  導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�10nC(典型值)
  總電容(Ciss):3200pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:PowerPAK SO-8
  功耗:� 6W(取決于散熱條件�

特�

FDB33N25TM 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電� Rds(on),確保在高電流應用中降低導通損��
  2. 高額定電流能力,支持高達 33A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開關性能,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,適用于高頻應用�
  4. 高可靠性設�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適應惡劣環(huán)��
  5. 表面貼裝封裝(PowerPAK SO-8�,具備良好的熱性能和電氣性能�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
  7. �(nèi)置靜電防護功�,提高器件在實際使用中的魯棒��

應用

FDB33N25TM 可用于以下應用領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開��
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級開關�
  3. 多相降壓�(zhuǎn)換器中的上橋臂或下橋� MOSFET�
  4. 負載開關和保護電路中的功率開��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動電路�
  7. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動器�
  由于其高效的功率處理能力和快速的開關速度,F(xiàn)DB33N25TM 在需要高性能功率�(zhuǎn)換的應用中表�(xiàn)出色�

替代型號

FDP55N20,
  FDS6670,
  IRL3103PBF

fdb33n25tm推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdb33n25tm資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fdb33n25tm參數(shù)

  • 標準包裝800
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)250V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C33A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C94 毫歐 @ 16.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2135pF @ 25V
  • 功率 - 最�235W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應商設備封�D²PAK
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDB33N25TMTR