FDB33N25TM 是一款由 Fairchild Semiconductor(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�。該器件采用先進的溝槽式技術制造,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于各類電源管理及功率轉(zhuǎn)換場�。其額定電壓� 25V,適用于需要高效功率處理的工業(yè)、消費電子以及通信領域�
FDB33N25TM 的設計優(yōu)化了導通損耗和開關損耗之間的平衡,適合高頻開關應�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、負載開關和多相電源�。此�,其封裝形式通常為表面貼裝類型(� SO-8 � PowerPAK�,便于現(xiàn)� PCB 設計中的自動化裝配�
最大漏源電壓:25V
連續(xù)漏極電流�33A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
柵極電荷�10nC(典型值)
總電容(Ciss):3200pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:PowerPAK SO-8
功耗:� 6W(取決于散熱條件�
FDB33N25TM 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),確保在高電流應用中降低導通損��
2. 高額定電流能力,支持高達 33A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開關性能,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,適用于高頻應用�
4. 高可靠性設�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運�,適應惡劣環(huán)��
5. 表面貼裝封裝(PowerPAK SO-8�,具備良好的熱性能和電氣性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求�
7. �(nèi)置靜電防護功�,提高器件在實際使用中的魯棒��
FDB33N25TM 可用于以下應用領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流和主開��
2. 電機�(qū)動電路中的功率級開關�
3. 多相降壓�(zhuǎn)換器中的上橋臂或下橋� MOSFET�
4. 負載開關和保護電路中的功率開��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動電路�
7. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動器�
由于其高效的功率處理能力和快速的開關速度,F(xiàn)DB33N25TM 在需要高性能功率�(zhuǎn)換的應用中表�(xiàn)出色�
FDP55N20,
FDS6670,
IRL3103PBF