CT3064(S)(T1)是一種由華虹半導(dǎo)體生�(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的耐熱性能,廣泛應(yīng)用于各種需要高效能和高可靠性的電路�。其封裝形式為TO-252,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,能夠顯著提高產(chǎn)品的集成度和可靠性�
該型號的MOSFET適用于電源管�、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載切換等場景,是工業(yè)控制、消費電子和通信�(shè)備中的重要元��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:55mΩ
功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CT3064(S)(T1)的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on))設(shè)�,減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. �(nèi)置反向二極管,有效保�(hù)電路免受反向電流沖擊�
4. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下正常運行�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 封裝緊湊,易于安裝和維護(hù),非常適合現(xiàn)代高密度電路�(shè)��
該MOSFET適用于多種應(yīng)用場�,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換和�(diào)節(jié)�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
4. 電機(jī)�(qū)動器中的功率輸出級控��
5. 各種�(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號放大和隔離�
IRFZ44N
FDP5570
STP8NK60Z