FDA18N50是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型器�。該芯片通常用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高電壓�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。其耐壓值高�(dá)500V,能夠提供高效的電力傳輸和較低的�(dǎo)通損��
FDA18N50的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足中等功率應(yīng)用的需�,同�(shí)具有較小的封裝尺寸和出色的電氣性能。它適用于工�(yè)控制、汽�(chē)電子以及家用電器等多�(gè)�(lǐng)域�
漏源擊穿電壓�500V
連續(xù)漏極電流�18A
柵極電荷�65nC
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.22Ω
�(kāi)�(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
FDA18N50具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:高達(dá)500V,使其能夠在高電壓環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
2. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)18A,適合大功率�(yīng)用�
3. 較低的導(dǎo)通電阻:典型值為0.22Ω,在高頻�(kāi)�(guān)�(shí)可減少功��
4. 快速開(kāi)�(guān)能力:得益于�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),開(kāi)�(guān)速度�,降低開(kāi)�(guān)損耗�
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采用先�(jìn)的制造工�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
6. 小型化封裝:TO-247封裝形式不僅節(jié)省空間,還便于散熱管��
這些特性使得FDA18N50成為高效�、高性能電路�(shè)�(jì)的理想選��
FDA18N50廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):由于其高耐壓和大電流能力,非常適合用作主�(kāi)�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為功率開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度與方��
4. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流�,適用于太陽(yáng)能逆變器和其他�(lèi)似設(shè)��
5. 工業(yè)控制:如PLC系統(tǒng)中的功率輸出�(jí)�
6. 汽車(chē)電子:包括電�(dòng)�(chē)�、座椅調(diào)節(jié)等功能模��
通過(guò)其優(yōu)異的性能表現(xiàn),F(xiàn)DA18N50能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠��
IRFP460, STP18NF50