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FDA18N50 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 15:45:37 查看 閱讀�32

FDA18N50是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強(qiáng)型器�。該芯片通常用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高電壓�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。其耐壓值高�(dá)500V,能夠提供高效的電力傳輸和較低的�(dǎo)通損��
  FDA18N50的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足中等功率應(yīng)用的需�,同�(shí)具有較小的封裝尺寸和出色的電氣性能。它適用于工�(yè)控制、汽�(chē)電子以及家用電器等多�(gè)�(lǐng)域�

參數(shù)

漏源擊穿電壓�500V
  連續(xù)漏極電流�18A
  柵極電荷�65nC
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.22Ω
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

FDA18N50具備以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá)500V,使其能夠在高電壓環(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
  2. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá)18A,適合大功率�(yīng)用�
  3. 較低的導(dǎo)通電阻:典型值為0.22Ω,在高頻�(kāi)�(guān)�(shí)可減少功��
  4. 快速開(kāi)�(guān)能力:得益于�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),開(kāi)�(guān)速度�,降低開(kāi)�(guān)損耗�
  5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采用先�(jìn)的制造工�,確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  6. 小型化封裝:TO-247封裝形式不僅節(jié)省空間,還便于散熱管��
  這些特性使得FDA18N50成為高效�、高性能電路�(shè)�(jì)的理想選��

�(yīng)�

FDA18N50廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):由于其高耐壓和大電流能力,非常適合用作主�(kāi)�(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:在降壓或升壓轉(zhuǎn)換器中作為功率開(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的速度與方��
  4. 逆變器:用于將直流電�(zhuǎn)換為交流�,適用于太陽(yáng)能逆變器和其他�(lèi)似設(shè)��
  5. 工業(yè)控制:如PLC系統(tǒng)中的功率輸出�(jí)�
  6. 汽車(chē)電子:包括電�(dòng)�(chē)�、座椅調(diào)節(jié)等功能模��
  通過(guò)其優(yōu)異的性能表現(xiàn),F(xiàn)DA18N50能夠顯著提升系統(tǒng)的整體效率和可靠��

替代型號(hào)

IRFP460, STP18NF50

fda18n50推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • 詢價(jià)

fda18n50資料 更多>

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fda18n50參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)500V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C265 毫歐 @ 9.5A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2860pF @ 25V
  • 功率 - 最�239W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-3P
  • 包裝管件