EPCQL512F24IN是Efficient Power Conversion (EPC) 公司推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件采用了QFN封裝形式,具有超低的�(dǎo)通電阻和極快的開�(guān)速度。其�(shè)�(jì)適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類需要高效能和小尺寸解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
該型�(hào)屬于EPC公司推出的高性能GaN晶體管系列,相較于傳�(tǒng)的硅基MOSFET,EPCQL512F24IN在效率、功率密度和熱性能方面均有顯著提升�
額定電壓�200V
最大電流:18A
�(dǎo)通電阻:9.6mΩ
柵極電荷�3.7nC
反向恢復(fù)�(shí)間:�
工作溫度范圍�-40� � +150�
封裝形式:QFN 8x8mm
EPCQL512F24IN采用增強(qiáng)型GaN技�(shù)制�,具有以下關(guān)鍵特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻(9.6mΩ�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高開�(guān)頻率支持,使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,從而減少磁性元件的體積和重量�
3. 極低的柵極電荷(3.7nC�,有助于減少開關(guān)過程中的能量損耗�
4. 無反向恢�(fù)電荷,避免了傳統(tǒng)二極管中存在的反向恢�(fù)問題,�(jìn)一步提升了系統(tǒng)效率�
5. 工作溫度范圍寬廣�-40℃至+150℃),能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
6. 封裝緊湊,適合空間受限的�(shè)�(jì)需��
EPCQL512F24IN主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是�(duì)于高功率密度�(shè)�(jì)�
2. 開關(guān)電源(SMPS�,包括PFC電路和逆變��
3. 無線充電�(shè)備,利用高頻GaN技�(shù)提高效率�
4. 激光雷�(dá)(LiDAR)驅(qū)�(dòng)器,提供快速開�(guān)以滿足測(cè)距精度要��
5. 電動(dòng)車輛和工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,實(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率和更小的物理尺寸�
EPC2020, EPC2021, EPC2022