OZ815LN-B4-0-TR 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,適合表面貼�,能夠滿足多種應(yīng)用需��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�49A
�(dǎo)通電阻:1.6mΩ
柵極電荷�77nC
開關(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
OZ815LN-B4-0-TR 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關(guān)條件下顯著降低功��
2. 高電流承載能力,支持高達(dá)49A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,適用于高頻電源�(zhuǎn)換器和電�(jī)控制��
4. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
5. 先�(jìn)的封裝技�(shù),提高了散熱效率和安裝便利��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性和抗干擾能��
這款功率MOSFET芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的同步整流電路�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 通信�(shè)備中的高效功率轉(zhuǎn)��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的電力�(diào)節(jié)�
OZ815LN-B4-0-TR 憑借其卓越的性能和可靠�,成為這些�(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N, FDP55N06L, STP55NF06L