EPCQ16SI8N 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生產(chǎn)的氮化鎵 (GaN) �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET),屬于增�(qiáng)� E 模式 GaN FET 系列。該器件采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),能夠提供更高的�(kāi)�(guān)速度、更低的�(dǎo)通電阻和更高的效率,適用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。EPCQ16SI8N 的設(shè)�(jì)旨在替代傳統(tǒng)的硅� MOSFET,尤其適合于需要高效率和小型化的應(yīng)用場(chǎng)��
該器件采用無(wú)引線(xiàn)芯片�(jí)封裝 (CSP),具有出色的熱性能和電氣性能。其典型�(yīng)用包� DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電系統(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、D�(lèi)音頻放大器以及其他高頻功率電子設(shè)備�
�(lèi)型:GaN FET
工作電壓�100 V
�(dǎo)通電阻:16 mΩ
最大漏極電流:32 A
柵極電荷�4.5 nC
反向恢復(fù)電荷�0 nC
封裝形式:CSP
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
EPCQ16SI8N 的主要特�(diǎn)是利用氮化鎵技�(shù)�(shí)�(xiàn)卓越的性能表現(xiàn)�
1. 高頻率操作能�,允許使用更小的�(wú)源元�,從而減小整體系�(tǒng)尺寸�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗,提升電源�(zhuǎn)換效��
4. 零反向恢�(fù)電荷,消除了與傳�(tǒng)二極管相�(guān)的反向恢�(fù)損耗�
5. 采用�(wú)引線(xiàn) CSP 封裝,簡(jiǎn)化了 PCB 布局并提高了散熱性能�
6. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端條件下仍能可靠運(yùn)行�
EPCQ16SI8N 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻操作的領(lǐng)�,例如:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、電信設(shè)備和其他高性能電子�(chǎn)品�
2. �(wú)�(xiàn)充電解決方案,特別是在消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如�(wú)人機(jī)、機(jī)器人��
4. D �(lèi)音頻放大�,以�(shí)�(xiàn)更高效率的音頻信�(hào)放大�
5. 其他高頻功率電子�(yīng)�,如太陽(yáng)能逆變�、LED �(qū)�(dòng)器等�
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