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EPCQ16SI8N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:46:46 查看 閱讀�30

EPCQ16SI8N 是一款由 Efficient Power Conversion (EPC) 公司生產(chǎn)的氮化鎵 (GaN) �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET),屬于增�(qiáng)� E 模式 GaN FET 系列。該器件采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),能夠提供更高的�(kāi)�(guān)速度、更低的�(dǎo)通電阻和更高的效率,適用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。EPCQ16SI8N 的設(shè)�(jì)旨在替代傳統(tǒng)的硅� MOSFET,尤其適合于需要高效率和小型化的應(yīng)用場(chǎng)��
  該器件采用無(wú)引線(xiàn)芯片�(jí)封裝 (CSP),具有出色的熱性能和電氣性能。其典型�(yīng)用包� DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電系統(tǒng)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、D�(lèi)音頻放大器以及其他高頻功率電子設(shè)備�

參數(shù)

�(lèi)型:GaN FET
  工作電壓�100 V
  �(dǎo)通電阻:16 mΩ
  最大漏極電流:32 A
  柵極電荷�4.5 nC
  反向恢復(fù)電荷�0 nC
  封裝形式:CSP
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

EPCQ16SI8N 的主要特�(diǎn)是利用氮化鎵技�(shù)�(shí)�(xiàn)卓越的性能表現(xiàn)�
  1. 高頻率操作能�,允許使用更小的�(wú)源元�,從而減小整體系�(tǒng)尺寸�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗,提升電源�(zhuǎn)換效��
  4. 零反向恢�(fù)電荷,消除了與傳�(tǒng)二極管相�(guān)的反向恢�(fù)損耗�
  5. 采用�(wú)引線(xiàn) CSP 封裝,簡(jiǎn)化了 PCB 布局并提高了散熱性能�
  6. 寬廣的工作溫度范�,確保在極端條件下仍能可靠運(yùn)行�

�(yīng)�

EPCQ16SI8N 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和高頻操作的領(lǐng)�,例如:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、電信設(shè)備和其他高性能電子�(chǎn)品�
  2. �(wú)�(xiàn)充電解決方案,特別是在消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如�(wú)人機(jī)、機(jī)器人��
  4. D �(lèi)音頻放大�,以�(shí)�(xiàn)更高效率的音頻信�(hào)放大�
  5. 其他高頻功率電子�(yīng)�,如太陽(yáng)能逆變�、LED �(qū)�(dòng)器等�

替代型號(hào)

EPC2020
  EPC2021
  EPC2022

epcq16si8n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

epcq16si8n參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列EPCQ
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • Digi-Key ProgrammableVerified
  • 可編程類(lèi)�系統(tǒng)�(nèi)可編�
  • 存儲(chǔ)容量16Mb
  • 電壓 - 供電2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC