RP119N281D-TR-FF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高�、高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用場�。該器件采用先進的封裝工藝,能夠承受較高的電壓和電�,同時具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,從而顯著提升系�(tǒng)效率�
這款 GaN 器件主要面向消費電子、工�(yè)電源以及通信�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)域,支持更高的工作頻率和更緊湊的�(shè)計方��
型號:RP119N281D-TR-FF
類型:增強型 GaN HEMT
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�100 A
�(dǎo)通電阻:17 mΩ(典型值)
柵極電荷�45 nC(最大值)
開關(guān)頻率范圍:高� 2 MHz
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
RP119N281D-TR-FF 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少功耗并提高效率�
2. 高擊穿電壓能力,使其適合高壓�(huán)境下的運��
3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷�(shè)�,有助于降低開關(guān)損耗并支持高頻操作�
4. 采用 TO-247-4L 封裝,具有良好的散熱性能,便于安裝與集成�
5. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,可適應(yīng)�(yán)苛的工作條件�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
RP119N281D-TR-FF 廣泛�(yīng)用于以下場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級控制�
2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)��
3. �(shù)�(jù)中心及服�(wù)器電源模塊的高密度設(shè)��
4. 電動車輛(EV)和混合動力汽車(HEV)中的車載充電器與電機驅(qū)動電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高頻驅(qū)動電��
6. 無線通信基站和其他射頻功率放大器的相�(guān)�(yīng)��
RP119N280D-TR-FF
RP120N281D-TR-FF
GAN042-650WSA